ナノワイヤ最新技術の基礎と応用展開《普及版》（新材料・新素材） [単行本]Ω

目次序章　ナノワイヤ研究の最新動向【第Ⅰ編　成長】第1章　ナノワイヤ成長の概論1　はじめに ―ナノワイヤのルーツ:ホイスカー ―2　ホイスカーからナノワイヤへ3　ナノワイヤの成長機構3.1 中軸ラセン転位による成長3.2　気相-液相-固相(Vapor-Liquid-Solid)成長3.3　ナノワイヤの選択成長3.4 ナノワイヤ成長における原料原子の表面拡散効果3.5　異種材料接合におけるナノワイヤ成長4　まとめ　第2章　VLSシリコンナノワイヤー成長　1　はじめに2　VLS法によるシリコン・ナノワイヤー成長を決める因子3　VLS法によるシリコン・ナノワイヤー成長の実際4　触媒となる金シリコンナノ液滴5　シリコン・ナノワイヤーの核形成6　シリコン・ナノワイヤー成長過程の解析7　おわりに第3章　テンプレート成長法について1　はじめに2　テンプレートについて3　テンプレート中での成長方法について4　自己組織形成テンプレートを用いたナノワイヤの成長第4章　VLS Geナノワイヤ成長1　はじめに2　VLS成長3　種々の触媒金属4　垂直成長5　Ge-NW成長の精密制御6　Ge-NWの低温成長7　デバイス応用8　おわりに第5章　VLS法によるⅢ-Ⅴ族ナノワイヤ成長　1　はじめに2　長波長帯発光ナノワイヤ3　GaAs(311)B基板上横成長GaAsナノワイヤ4　自己触媒VLS法によるInPナノワイヤ5　InAsナノワイヤの超伝導量子デバイスへの応用展開6　まとめ第6章　選択成長法によるIII-V族化合物半導体ナノワイヤ1　はじめに2　MOVPE選択成長法によるナノワイヤ形成プロセス3　選択成長によるナノワイヤの形状および結晶構造解析3.1　選択成長におけるファセッティング成長(GaAs選択成長基板面方位依存性)3.2　選択成長によるナノワイヤの成長特性3.3　ナノワイヤの形状制御技術 成長の縦・横方向制御3.4　ナノワイヤの結晶構造解析4　ナノワイヤにおける結晶構造の変化5　ナノワイヤの成長機構モデル6　Si基板上のナノワイヤ選択成長7　おわりに第7章　Ⅲ-Ⅴナノワイヤon Si　1　はじめに2　Si基板上無触媒(自己触媒)VLS法による化合物半導体ナノワイヤ3　Ga供給量依存性4　As供給量依存性5　成長中断の効果6　GaAs/AlxGa1-xAsのコア・シェルヘテロ構造7　まとめ第8章　強磁性体/半導体複合ナノワイヤ1　はじめに2　作製プロセス3　強磁性体ナノクラスタの選択形成4　強磁性体/半導体複合ナノワイヤの選択形成5　電気特性6　おわりに第9章　ZnOナノワイヤ成長1　はじめに2　ZnOナノ結晶の成長2.1　CVD2.2　熱炭素CVD2.3　パルスレーザー堆積法2.4　水熱法2.5　電着法3　制御法3.1　成長方向制御3.2　結晶サイズの制御3.3　密度制御3.4　成長位置4　導電性制御5　まとめ【第Ⅱ編　物性・理論】第1章　光物性　1　はじめに2　ナノワイヤ光導波路と共振器効果3　光学異方性4　結晶構造転移と光学特性5　ナノワイヤアレイにおける光吸収6　ヘテロ構造半導体ナノワイヤの発光特性7　光励起による誘導放出およびレーザ発振8　ナノワイヤ発光素子9　おわりに第2章　ドーピング1　はじめに2　ドーピング方法2.1　成長時ドーピング2.2　イオン注入を利用したドーピング3　ドーピング評価3.1　結合・電子状態3.2　不純物分布3.3　不純物の挙動4　まとめ第3章　径方向量子井戸・量子ドットナノワイヤ構造と光学特性1　はじめに2　ナノワイヤに形成可能な量子ヘテロ構造3　径方向量子井戸ナノワイヤの物性4　径方向量子ドットナノワイヤの物性5　まとめ第4章　ナノワイヤ量子ドットの光学特性1　はじめに2　位置制御された単一GaN/AlGaNナノワイヤ量子ドットの結晶成長と光学特性3　InGaAs/GaAsナノワイヤ量子ドットの結晶成長と光学特性4　InGaAs/GaAsナノワイヤ積層量子ドットの結晶成長と光学特性5　おわりに第5章　ZnOナノロッド量子井戸構造を用いたナノフォトニックデバイスの進展1　まえがき2　ZnOナノロッド量子井戸構造3　近接場エネルギー移動の制御4　近接場光の協調現象の観測5　むすび第6章　形成機構計算1　はじめに2　ナノワイヤの結晶構造3　ナノワイヤにおける閃亜鉛鉱-ウルツ鉱構造相対的安定性4　二次元核形成にもとづくナノワイヤ形成機構5　エピタキシャル成長条件を考慮したナノワイヤ形成機構6　ナノワイヤ形状の成長条件依存性7　まとめ第7章　熱伝導、熱電性能　1　ナノワイヤの熱伝導実験2　ナノワイヤの熱伝導計算3　低温での普遍的な熱伝導の振舞い4　熱電エネルギー変換と熱電性能指数4.1　熱電性能の物性・理論4.2　ナノワイヤの熱電性能増大の可能性4.3　シリコンナノワイヤの熱電性能実験4.4　シリコンナノワイヤの熱電性能計算5　まとめ【第Ⅲ編　デバイス】第1章　GaN ナノコラム発光デバイス1　はじめに2　GaN 系発光デバイスの直面する課題3　ナノコラムとナノ結晶効果4　規則配列ナノコラムとナノコラムLED5　発光色制御と集積型LED6　まとめ第2章　回路応用1　はじめに2　デジタル回路3　アナログ回路4　ナノワイヤの配置制御技術5　むすび第3章　ナノワイヤのトランジスタ応用1　はじめに2　ナノワイヤトランジスタの技術動向3　Si基板上のIII-Vナノワイヤ選択成長4　ナノワイヤ縦型トランジスタの作製5　InGaAs/InP/InAlAs/InGaAsコアマルチシェルナノワイヤチャネル6　まとめ第4章　ナノワイヤを活用した不揮発性メモリ―ナノワイヤメモリスタ―　1　はじめに2　自己組織化酸化物ナノワイヤを用いたプレーナー型メモリスタ素子3　ナノワイヤメモリスタを用いた極微素子特性の解明4　ナノワイヤメモリスタ素子を用いた動作起源の解明5　おわりに第5章　III-V族化合物半導体ナノワイヤ太陽電池1　はじめに2　ナノワイヤの特長2.1　光トラッピング2.2　電子正孔対分離の改善2.3　格子不整合の緩和2.4　省資源化3　III-V族化合物半導体ナノワイヤ太陽電池の動向4　今後の展開4.1 高効率化4.2　低コスト化5　まとめ内容紹介2013年刊「ナノワイヤ最新技術の基礎と応用展開」の普及版。「ナノワイヤ」の基礎(成長、物性・理論)から、太陽電池をはじめ発光ダイオード、レーザー、センサー、光検出器など、デバイスへの応用を網羅している。